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Meridian-IV
參數動態故障分析，故障隔離
Meridian-IV是一個完全集成的，高性能的電性故障分析和缺陷定位平台，提供行業領先的靈敏度。Meridian-IV先進的低電壓，高密度半導體設備中最好的一流的性能和診斷的能力，廣泛的失效模式，包括參數故障和那些設計過程的marginalities。
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分析能力為45納米及其更先進製程
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最佳的一流的砷化銦鎵發光檢測
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業界公認的“點按”固體浸沒透鏡（SIL）
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方便與ATE平台直接對接
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可選的激光掃描顯微鏡（LSM）的靜態和動態分析
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針對封裝的器件和晶圓/裸片背面樣本分析
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NEXS軟件集成
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可選175x的長工作距離SIL（LWD-SIL）
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可選的高性能L256砷化銦鎵相機
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可選的高性能L1K砷化銦鎵相機
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可選配CCD攝像頭
銷售服務地區：中國
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TriVision
多功能電氣故障分析
空間的缺陷定位需要一個易於使用的集成發射和激光掃描顯微鏡平台。TriVision是一個完全集成的電氣故障分析和缺陷定位平台。TriVision是一個符合成本效益，可擴展的平台，在未來的技術層面,能夠很輕鬆地擴大其應用。
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完全集成的故障分析平台，提供最佳的一流的性能
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易於使用的包裝件或前端晶圓/裸片分析
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空間分辨率極高
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高靈敏度，低噪聲SWIR砷化銦鎵相機選項,提供靜態和動態光子發射應用
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熱電砷化銦鎵紅外熱成像功能的攝像頭，沒有外部提供的LN2
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提供多個攝像頭/傳感器和鏡頭的選擇
銷售服務地區：中國
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P3X Cobra
精密電路編輯
P3X Cobra是最先進的前端電路，編輯的FIB,可修改22納米技術設備的唯一可行的解決方案。P3X Cobra執行每一個主要的編輯過程中，包括沉積，金屬蝕刻，電介質刻蝕。
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22奈米電路修改
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2.5nm分辨率@1pA離子柱
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1至30千電子伏的電子束能量的蝕刻速率的精確控制的
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飛安（FA）束電流，提高成像，編輯和結束點
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編輯SiO2和低電介質的銅, 提供行業領先的化學解決方案
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提供10個化學輸送系統
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精密激光干涉儀平臺（好於100nm）
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易於使用的Fusion軟件與集成FIB輔助系統
銷售服務地區：中國
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ELITE
增強型Lock-in熱發射顯微鏡
有缺陷的或表現不佳的半導體器件常常表現出異常分佈的功耗，從而導致局部溫度升高。ELITE利用鎖相紅外熱成像（LIT）準確有效地定位這些領域。
鎖熱成像（LIT）是一種動態紅外熱成像提供了更好的信號噪聲比，更高的靈敏度和較高的功能穩態的熱成像分辨率比。 LIT IC分析法可以用來定位線路短路，ESD缺陷，氧化損傷，缺陷的晶體管和二極管，以及器件latch-up。 LIT可以在一個自然的周圍環境中工作，而不需要遮光盒。。
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最高的靈敏度和最高像素數（640x512像素）的熱發射系統
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<1mK的溫差分辨率
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非接觸式絕對溫度映射
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封裝和堆疊芯片分析
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可提供多種靈活的配置
銷售服務地區：中國
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nProber
完整的掃描電鏡的探測解決方案
集成了8個納米探針，為nanoInstruments產品線的旗艦產品，電探測100nm以下半導體器件的功能。
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8，6和4點探測
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分析Butterfly曲線
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Kelvin的探測
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Bitcell的穩定性測試
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溫度特性選項
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EBIC/ EBAC特性選項
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CV特性選項
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脈衝IV特徵分析
銷售服務地區：中國
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dProber
集成了6個探頭到現有的SEM和FIB系統
DCG的系統dProber是一個標準的系統安裝在一個自定義客戶的掃描電子顯微鏡（SEM）或聚焦離子束（FIB）系統
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6點和4點探測
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分析Butterfly曲線
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Kelvin的探測
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溫度特性選項
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EBIC/ EBAC特性選項
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CV特性選項
銷售服務地區：中國
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sProber
可安裝在從現有的掃描電鏡（SEM）或FIB系統
sProber的NanoWorks®產品線的一部分，電探測100nm以下半導體器件的功能。
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4點探測
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EBIC/ EBAC特性選項
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CV特性選項
銷售服務地區：中國
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