【Southport】JadeSiC - NK 非破壞性SiC缺陷檢測系統

JadeSiC - NK 非破壞性SiC基板表面與內部缺陷檢測系統

KOH檢測之有效替代解決方案！

首創非破壞性缺陷掃描檢測技術
直接呈現基板內致命性晶體缺陷分布
有效掌控基板品質
較KOH大幅降低直接及間接成本

【功能特色】

先進非線性光學(NLO)檢測技術能夠檢測SiC基板表面上及內部的晶體缺陷
非破壞性檢測技術有效替代昂貴的KOH蝕刻檢測方式
提供基板全片掃描晶體缺陷密度和分布報告，取代現有KOH蝕刻後抽樣取點的推估方法
專注於檢測SiC基板中最致命的晶體內部的缺陷(BPD、TSD、MicroPipe、Stacking Fault)
適用 2”,4”,6”,8” SiC基板
具備微區3D掃描功能（選配）

【產品優勢】

有效的檢測及分析工具利於製程改善，大幅降低基板生產直接、間接成本並提升產量
無需耗費任何昂貴的SiC基板與使用任何有毒或腐蝕性有害環境材料和製程
JadeSiC-NK不採用傳統光學影像抽樣推估，而是進行全片掃描提供晶體缺陷及其分布狀況
部署在基板生產系統中，可做為有效的檢測及分析工具，有利於持續之製程改善

【產品價值】

穩定且有效找出晶體關鍵缺陷
大幅降低基板材料成本與節省KOH成本及時間成本
持續有效的製程改善利器
→ 低成本的實驗設計(DOE)
→ 可對一個晶錠進行100%的晶圓檢查，用於詳細的整個晶錠分析
→ 更可有效做晶錠批次追蹤分析

【介紹影片】

【產品規格】

Model Number	SP3055A
Model Name	JadeSiC-NK, non-destructive inspection system for SiC killer defects (BPD/TSD/MP/SF),the best substitution for KOH etching method.
SiC Substrate / EPI Wafer Size	2” 4” 6” 8”
Wafer Thickness	300 μm - 550 μm
Chuck	XY Stage Repeatability : 0.1 μm
Inspection Items	Whole Wafer Defect Scan (MicroPipe, BPD, TED, TSD, SF, etc.)
Whole Wafer Defect Scan	Estimated Inspection Time	1 hr @4”wafer 2 hrs @6” wafer 4 hrs @8” wafer
	Lateral Resolution	1 μm
	Analysis	MicroPipe Density (MPD) BPD/TED/TSD Density Stacking Fault Area Percentage Wafer Yield Tri-angle and Carrot**
MicroArea 3D Scan (optional)	Field of View	400 μm x 400 μm
	Scanning Zoom	Yes ( 1x - 10x )
	Scan Resolution	Up to 1024 x 1024
	Lateral Resolution	0.4 μm
	Axial Resolution	0.25 μm
	Min Increment of Z stage	0.02 μm
	Wide Field Module Camera	Color Camera (FOV 400 μm x 400 μm)

如欲瞭解更多產品資訊，請與我們聯繫：www.spirox.com.tw/contact

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非破壞性缺陷檢測