纳米探针是目前先进半导体制程中进行电性量测的重要工具，大量应用于研发阶段与失效分析。当制程进入10纳米以下，所需要使用的探针规格要求越来越高，埃尔思科技能提供高质量纳米探针（距离针尖50纳米的位置，探针直径小于30纳米），能胜任3纳米制程失效分析的需求。
埃尔思科技是一群来自中研院物理所离职创业的博硕士科研团队所组成，专精于表面科学以及电化学技术研发与整合应用，师承中研院院士郑天佐在单原子针SAT的科学探索成就，2019年正式成立埃尔思科技(ALES Tech INC.)于高雄并获得中研院授权相关专利技术创业至今，公司两大核心业务为提供微米到纳米等级的探针产品作为晶圆或面板电性检测之必要耗材，以及研发GFIS-FIB(气体场离子源聚焦离子束设备)作为半导体先进制程之电路修补与失效分析的最佳解决方案。目前在桃園、新竹以及高雄皆设有营运与研发推广据点，更多讯息请至埃尔思官网www.alestech.tw查询。
