【Southport】JadeSiC - NK 非破坏性SiC缺陷检测系统

JadeSiC - NK 非破坏性SiC衬底表面与内部缺陷检测系统

KOH检测之有效替代解决方案！

首创非破坏性缺陷扫描检测技术
直接呈现衬底内致命性晶体缺陷分布
有效掌控衬底质量
较KOH大幅降低直接及间接成本

【功能特色】

先进非线性光学(NLO)检测技术能够检测SiC衬底表面及内部的晶体缺陷
非破坏性检测技术有效替代昂贵的KOH蚀刻检测方式
提供衬底全片扫描晶体缺陷密度和分布报告，取代现有KOH蚀刻后抽样取点的推估方法
专注于检测SiC衬底中最致命的晶体内部的缺陷(BPD、TSD、MicroPipe、Stacking Fault)
适用 2”,4”,6”,8” SiC衬底
具备微区3D扫描功能（选配）

【产品优势】

有效的检测及分析工具利于制程改善，大幅降低衬底生产过程中直接、间接成本并提升产量
无需耗费任何昂贵的SiC衬底，无需使用任何有毒或腐蚀性以及有害环境材料和制程
JadeSiC-NK不采用传统光学影像抽样推估的方法，而是采用全片扫描提供晶体缺陷及其分布状况
部署在衬底生产流程中，可做为有效的检测及分析工具，有利于持续之制程改善

【产品价值】

稳定且有效找出晶体关键缺陷
大幅降低衬底材料成本与节省KOH成本及时间成本
持续有效的制程改善利器
→ 低成本的实验设计(DOE)
→ 可对一个晶锭进行100%的晶圆检查，用于详细的整个晶锭分析
→ 更可有效做晶锭批次追踪分析

【介绍视频】

【产品参数】

Model Number	SP3055A
Model Name	JadeSiC-NK, non-destructive inspection system for SiC killer defects (BPD/TSD/MP/SF),the best substitution for KOH etching method.
SiC Substrate / EPI Wafer Size	2” 4” 6” 8”
Wafer Thickness	300 μm - 550 μm
Chuck	XY Stage Repeatability : 0.1 μm
Inspection Items	Whole Wafer Defect Scan (MicroPipe, BPD, TED, TSD, SF, etc.)
Whole Wafer Defect Scan	Estimated Inspection Time	1 hr @4”wafer 2 hrs @6” wafer 4 hrs @8” wafer
	Lateral Resolution	1 μm
	Analysis	MicroPipe Density (MPD) BPD/TED/TSD Density Stacking Fault Area Percentage Wafer Yield Tri-angle and Carrot**
MicroArea 3D Scan (optional)	Field of View	400 μm x 400 μm
	Scanning Zoom	Yes ( 1x - 10x )
	Scan Resolution	Up to 1024 x 1024
	Lateral Resolution	0.4 μm
	Axial Resolution	0.25 μm
	Min Increment of Z stage	0.02 μm
	Wide Field Module Camera	Color Camera (FOV 400 μm x 400 μm)

如欲了解更多产品信息，请与我们联系：www.spirox.com.tw/contact

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非破坏性缺陷检测