【Southport】WBG材料全片及微区非接触式三维应力分析检测系统

JadeSA-WBG 结合非破坏性光学穿透技术与三维拉曼光谱，提供宽带隙第三代半导体无损3D内部缺陷检测与应力分析解决方案！

有效反映WBG材料的内隐特性，即平面和深度的应力分布
适用碳化硅衬底、同质及异质外延、组件制程材料应力及晶型掌握

【功能特色】

先进之3D Raman非破坏性检测技术
有效反映WBG材料的内隐特性，即平面和深度的应力分布
能够提供晶圆中不同晶型结构的百分比
在特定深度进行全片晶圆扫描并提供应力mapping
提供3D微区应力mapping能力
提供3D微区polytype分析
适用SiC衬底、同质及异质外延、组件制程
适用 2”, 4”, 6”, 8” SiC衬底

【产品优势】

适合检测和识别晶圆中不应存在的晶型
适合分析来自同一晶锭每个衬底应力分布特性之差异
适合分析衬底和外延层之应力特性以及与主要缺陷间之关联性
适合用于外延制程制造商的衬底进料质量控制（IQC）
微区提供详细的3D应力mapping，有利于缺陷及制程相关分析
适合分析组件制程和制程温度对缺陷生长和晶体结构变化的影响

【产品价值】

通过检查同一晶锭的衬底和不同批次或参数的晶锭，有助于改善晶锭生长过程
通过检查同一晶锭的衬底，有助于改进SiC CMP制程
提高外延制程效能，实现异质整合制程优化
有助于建立从材料端到组件端的因果关系，进一步构建更深入的 know-how 及 know-why，提高良率、产量、性能和组件可靠度，有效降低整体成本

【介紹影片】

【产品规格】

Model Number	SP3055S
Model Name	JadeSA-WBG, non-contact whole wafer / microarea 3D stress inspection and analysis system for SiC substrate, SiC on SiC, GaN on Si, GaN on SiC, GaN substrate
SiC Substrate / EPI Wafer Size	2” 4” 6” 8”
Inspection Items	Whole wafer stress mapping MicroArea stress mapping Polytype detection (4H, 6H, 3C SiC)
Whole Wafer Stress Mapping	Estimated Inspection Time	2 mm Step Size	40 mins / layer (4”) 1.5 hrs / layer (6”)
	Estimated Inspection Time	1 mm Step Size	2 hrs / layer (4”) 4.5 hrs / layer (6”)
	Axial Resolution	1 μm
	Min. Step Size of XY Plane	0.1 mm
	Max. Step Size of XY Plane	5 mm
	XY Stage Repeatability	0.1 μm
	Min Increment of Z Stage	0.02 μm
	Analysis	Whole wafer stress analysis Polytype Detection
MicroArea Stress Mapping	Field of View	250 μm
	Mapping Resolution	Up to 512 x 512
	Lateral Resolution	0.3 μm
	Axial Resolution	1 μm
	Min Increment of Z Stage	0.02 μm
	Analysis	MicroArea stress analysis Polytype detection

如欲了解更多产品信息，请与我们联系：www.spirox.com.tw/contact

南方科技成立于2014年8月，创办团队集合了光学、材料、物理、信息等跨领域人才，将新颖的光学设计观念导入光学工程领域。透过先进光学简单化、模块化、数字化的核心理念，使研究人员专注在研究开发工作，改善实验设计观念、提升研究效率、缩短研发时程、挥洒研发创意，加速研究与产业技术发展的进程。南方科技以『5D显微术』与『数字光学』两大核心技术为基础，将崭新的光学观念与技术导入先进材料分析、生医影像、显微3D光学检测与数字光学应用四大应用领域。在不同的应用领域，南方致力于研发与创新，深入了解行业痛点并且专注解决关键问题。