電性失效分析

HOME / 解決方案與服務 / 晶片製程品質解決方案 / 電性失效分析

【Hamamatsu】高解析度微光顯微鏡

【Hamamatsu】高解析度微光顯微鏡

【產品優勢】

  • 缺陷快速定位
  • 節省分析時間
  • 為半導體晶片失效分析應用量身定制
  • 半導體業內專業級電性定位設備
 

【功能特色】

  • 可選配兩個超高靈敏度相機(覆蓋範圍包括不同探測波長範圍的微光分析和熱分析,或可見光和近紅外光,允許輕鬆選擇與樣品和失效模式匹配的分析技術)
  • OBIRCH有多達五種雷射源可供選擇,且相容動態分析技術
  • 單一模組適用多種光源(1.3um,1.1um,532nm),支持多種分析
 

【功能特性】

功能
特性
OBIRCH
  • 高解析度,高對比度反射模式圖像
  • 可進行背面觀測(使用1.3μm波長雷射)
  • 由於使用近紅外雷射器,完全避免OBIC信號的影響
  • 可在四個象限測量電壓/電流
  • OBIRCH 放大器可以為被測器件施加四個象限電壓/電流。軟體可選擇 V1模式、I1模式、V2模式和V3模式。
EMMI相機
  • 近紅外區域的高靈敏度(高量子效率)
  • 分析低工作電壓器件的強大的工具,同時可以實現背面分析
  • 可結合雷射顯微鏡,且同時保持高解析度和高靈敏度的分析
電流檢測頭
電流檢測頭可用於測量比標準OBIRCH放大器範圍要求更高電壓(最大3kv)或更高電流(最大6.3 A)的器件。
 

【透鏡選項】

  • 電動鏡頭轉盤可以搭載5個物鏡
  • Objective lens
Product Name
Product No.
N.A.
WD(nm)
Analysis
Objective lens 1x for OBIRCH
A7649-01
0.03
20
OBIRCH
Objective lens 2* IR coat
A8009
0.055
34
Enission / OBIRCH
Objective lens NIR 5x
A11315-01
0.14
37.5
Enission / OBIRCH
Objective lens NIR 20x
A11315-03
0.4
20
Enission / OBIRCH
Objective lens PEIR Plan Apxo 20x2000
A11315-21
0.6
10
Enission / OBIRCH
Objective lens PEIR Plan Apo 50x2000
A11315-22
0.7
0.7
Enission / OBIRCH
High NA cbjective lens 50* for IR-OBIRCH
A8018
0.76
12
OBIRCH
Objective lens NIR 100x
A11315-05
0.5
12
Enission / OBIRCH
Objective lens MWIR 0.8x
A10159-02
0.13
22
Themal emission
Objective lens MWIR 4x
A10159-03
0.52
25
Themal emission
Objective lens MWIR 8x
A10159-06
0.75
15
Themal emission
 
  • Macro lens
Product Name
Product No.
N.A.
WD(nm)
Analysis
Macro lens 1.35x for PHEMOS -X
A7909-16
0.4
25
Enission / OBIRCH
Macro lens 0.24x for InSb camera
A10159-08
0.08
27
Thermal emission
Macro lens 1x for InSb camera
A10159-10
0.33
52
Thermal emission

 

 

日本濱松光子學株式會社(HAMAMATSU)是全球光子技術、EFA領域的領導品牌。自1953年成立以來,EFA失效分析產品銷往全球半導體各大企業,擁有數量最多的半導體業及面板業客戶。HAMAMATSU為客戶提供EFA失效分析領域的缺陷定位解決方案,開發的微光顯微鏡是業界主流的高解析度熱點定位設備,且擁有多項專利產品。設備具備Thermal,EMMI,OBIRCH等分析功能方法。