【Southport】WBG材料全片及微區非接觸式三維應力分析檢測系統

JadeSA-WBG 結合非破壞性光學穿透技術與三維拉曼光譜，提供寬頻隙化合物半導體無損3D內部缺陷檢測與應力分析解決方案！

有效反映WBG材料的內隱特性，即平面和深度的應力分布
適用碳化矽基板、同質及異質磊晶、元件製程材料應力及晶型掌握

【功能特色】

先進之3D Raman非破壞性檢測技術
有效反映WBG材料的內隱特性，即平面和深度的應力分布
能夠提供晶圓中不同晶型結構的百分比
在特定深度進行全片晶圓掃描並提供應力mapping
提供3D微區應力mapping能力
提供3D微區polytype分析
適用SiC基板、同質及異質磊晶、元件製程
適用 2”, 4”, 6”, 8” SiC基板

【產品優勢】

適合檢測和識別晶圓中不應存在的晶型
適合分析來自同一晶錠每個基板應力分布特性之差異
適合分析基板和磊晶層之應力特性以及與主要缺陷間之關聯性
適合用於磊晶製程製造商的基板進料品質控制（IQC）
微區提供詳細的3D應力mapping，有利於缺陷及製程相關分析
適合分析元件製程和製程溫度對缺陷生長和晶體結構變化的影響

【產品價值】

通過檢查同一晶錠的基板和不同批次或參數的晶錠，有助於改善晶錠生長過程
通過檢查同一晶錠的基板，有助於改進SiC CMP製程
提高磊晶製程效能，實現異質整合製程優化
有助於建立從材料端到元件端的因果關係，進一步構建更深入的 know-how 及 know-why，提高良率、產量、性能和元件可靠度，有效降低整體成本

【介紹影片】

【產品規格】

Model Number	SP3055S
Model Name	JadeSA-WBG, non-contact whole wafer / microarea 3D stress inspection and analysis system for SiC substrate, SiC on SiC, GaN on Si, GaN on SiC, GaN substrate
SiC Substrate / EPI Wafer Size	2” 4” 6” 8”
Inspection Items	Whole wafer stress mapping MicroArea stress mapping Polytype detection (4H, 6H, 3C SiC)
Whole Wafer Stress Mapping	Estimated Inspection Time	2 mm Step Size	40 mins / layer (4”) 1.5 hrs / layer (6”)
	Estimated Inspection Time	1 mm Step Size	2 hrs / layer (4”) 4.5 hrs / layer (6”)
	Axial Resolution	1 μm
	Min. Step Size of XY Plane	0.1 mm
	Max. Step Size of XY Plane	5 mm
	XY Stage Repeatability	0.1 μm
	Min Increment of Z Stage	0.02 μm
	Analysis	Whole wafer stress analysis Polytype Detection
MicroArea Stress Mapping	Field of View	250 μm
	Mapping Resolution	Up to 512 x 512
	Lateral Resolution	0.3 μm
	Axial Resolution	1 μm
	Min Increment of Z Stage	0.02 μm
	Analysis	MicroArea stress analysis Polytype detection

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