非破坏性SiC缺陷检测系统
JadeSiC-NK是一款专为SiC衬底设计的非破坏性缺陷检测系统，为传统的KOH蚀刻检测提供一个高效的替代方案。此系统首创非破坏性缺陷扫描检测技术，能直接呈现衬底内的致命性晶体缺陷分布，从而有效掌控衬底质量并显著降低直接及间接成本。
PRODUCT DESCRIPTION
产品介绍
PRODUCT DESCRIPTION
JadeSiC - NK 非破坏性SiC衬底表面与内部缺陷检测系统，KOH检测之有效替代解决方案！
首创非破坏性缺陷扫描检测技术
直接呈现衬底内致命性晶体缺陷分布
有效掌控衬底质量
较KOH大幅降低直接及间接成本
FEATURES
产品特色
FEATURES
先进非线性光学(NLO)检测技术能够检测SiC衬底表面上及内部的晶体缺陷
非破坏性检测技术有效替代昂贵的KOH蚀刻检测方式
提供衬底全片扫描晶体缺陷密度和分布报告，取代现有KOH蚀刻后抽样取点的推估方法
专注于检测SiC衬底中最致命的晶体内部缺陷(BPD、TSD、MicroPipe、Stacking Fault)
适用 2”,4”,6”,8” SiC衬底
具备微区3D扫描功能（选配）
ADVANTAGES
产品优势
ADVANTAGES
有效的检测及分析工具利于制程改善，大幅降低衬底生产直接或间接成本并提升产量
无需耗费任何昂贵的SiC衬底与使用任何有毒或腐蚀性有害环境材料和制程
JadeSiC-NK不采用传统光学影像抽样推估，而是进行全片扫描提供晶体缺陷及其分布状况
部署在衬底生产流程中，可做为有效的检测及分析工具，有利于持续之制程改善
FUNCTION DESCRIPTION
功能说明
FUNCTION DESCRIPTION
【产品价值】
稳定且有效找出晶体关键缺陷
大幅降低衬底材料成本与节省KOH成本及时间成本
持续有效的制程改善利器
- 低成本的实验设计(DOE)
- 可对一个晶锭进行100%的晶圆检查，用于详细的整个晶锭分析
- 更可有效做晶锭批次追踪分析
PRODUCT SPECIFICATIONS
产品规格
PRODUCT SPECIFICATIONS
| Model Number | SP3055A | |
|---|---|---|
| Model Name | JadeSiC-NK, non-destructive inspection system for SiC killer defects (BPD/TSD/MP/SF), the best substitution for KOH etching method. | |
| SiC Substrate / EPI Wafer Size |
2” 4” 6” 8” | |
| Wafer Thickness | 300 μm - 550 μm | |
| Chuck | XY Stage Repeatability : 0.1 μm | |
| Inspection Items | Whole Wafer Defect Scan (MicroPipe, BPD, TED, TSD, SF, etc.) | |
| Whole Wafer Defect Scan | Estimated Inspection Time |
1 hr @4”wafer |
| Lateral Resolution | 1 μm | |
| Analysis |
MicroPipe Density (MPD) BPD/TED/TSD Density Stacking Fault Area Percentage Wafer Yield Tri-angle and Carrot** |
|
| MicroArea 3D Scan (optional) | Field of View |
400 μm x 400 μm |
| Scanning Zoom |
Yes ( 1x - 10x ) |
|
| Scan Resolution |
Up to 1024 x 1024 |
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| Lateral Resolution |
0.4 μm |
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| Axial Resolution |
0.25 μm |
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| Min. Increment of Z stage |
0.02 μm |
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| Wide Field Module Camera |
Color Camera |
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