SP8000S - Non-Destructive TSV Inspection System

非破壞性TSV檢測系統

● 獨家光學掃描技術，蔚華雷射斷層掃描 (SpiroxLTS®) ，專利非破壞性缺陷檢測，即時檢測免切片。
● TSV孔壁內部精密檢查，AI輔助辨識，令缺陷無所遁形，盲孔通孔皆可測。
● 逐孔量測TSV深度與孔徑，並結合區域化快速抽樣檢測機制，在短時間內取得可量化晶圓層級數據洞察，協助進行可靠的晶粒品質判定與分類。

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PRODUCT DESCRIPTION

產品介紹

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FEATURES

產品特色

FEATURES

TSV 內壁缺陷檢測

條紋 (Striation)、波紋 (Scallop) 與裂縫 (Crack) 等缺陷可能破壞絕緣層，造成漏電流 (Leakage Current) 風險。
缺陷資料蒐集與 AI 資料庫

系統化蒐集並整理缺陷數據，透過 AI 建立智慧型資料庫，進行量化分析並優化製程參數，進一步提升良率與製造效率。
從單一 TSV 幾何量測到整片晶圓統計

高速 IPQC 抽樣檢測建立晶圓層級統計數據，支援以數據為基礎的晶粒 (Die) 品質判定。

多模式自動化量測

ROI (Region of Interest 關注區域) 設定量測模式
可自定義掃描程序流程
座標值量測模式
隨機量測模式

AI輔助檢測異常孔辨識

直覺式操作界面

全自動上下料

ADVANTAGES

產品優勢

ADVANTAGES

非破壞性檢測

使用非線性光學量測，使用蔚華雷射斷層掃描 (SpiroxLTS^®) 技術，無需接觸或切割樣品，避免損壞，可提供缺陷之量化判別。

即時檢測

相較於傳統交叉切片掃描電子顯微鏡 (SEM)，提供更快速、更高效的檢測過程。

逐孔 TSV 量測與快速 IPQC

量測單一 TSV 深度與孔徑，結合區域化 IPQC 抽樣檢測，快速取得可量化晶圓層級數據，支援高效率晶粒 (Die) 品質判定與分類。

孔壁立體影像差異比較

FUNCTION DESCRIPTION

功能說明

FUNCTION DESCRIPTION

提升效率與良率
線上自動化檢測，大數據收集，減少SEM送樣次數，加速優化製程參數，顯著提升產品品質與良率。

降低生產成本
減少不良品率與返工次數，降低材料浪費與生產開支。

促進製程優化
透過AI分析持續改進製程，提升穩定性與效能。

增強市場競爭力
提高產品可靠性與一致性，吸引更多客戶與合作機會。

數據驅動決策
提供精準的數據分析幫助製程參數最佳化，快速應對市場變化與客戶需求。

捕獲上孔壁針刺截面與立體影像
下孔壁條痕截面與立體影像

PRODUCT SPECIFICATIONS

產品規格

PRODUCT SPECIFICATIONS

項目	內容
Model Number	SP8000S
Model Name	非破壞性TSV檢測系統
主要光學技術	SpiroxLTS^® 專利非線性光學量測技術
載台尺寸、上下料	12”/ 8” 晶圓共用 / 自動上下料
量測功能	非破壞性TSV產線檢測系統 (IPQC) 專為產品晶圓 (Function Wafer) TSV結構進行非破壞性品質檢測所設計，應用於量產階段之抽樣檢測，可即時掌握製程穩定性，提升整體良率與效率，具備以下三大核心功能： TSV全片深度均勻度 (AWU) 快速量測 (+Opt.001 or 002) FOV多孔深度量測，不受孔周圍金屬層與佈線影響，依設計分區取樣，不受側壁形貌與孔底平整度影響 TSV孔壁缺陷即時抽檢 (Function Wafer) 精確偵測孔壁偏蝕、凹陷、裂紋、針刺或條痕等缺陷，及早發現異常趨勢，防止流入後段製程造成品質問題 TSV孔底殘留異常檢查 (Function Wafer) 針對金屬化製程，可辨識孔底氧化層或異物殘留，確保金屬鍍層均勻性與接合品質，避免開路或高阻值異常	TSV蝕刻機穩定度驗證解決方案專為蝕刻設備進行穩定性驗證所設計，可以進行以下兩大關鍵檢測任務： TSV孔深非破壞量測 (Bare Silicon) (+Opt.001 or 002) 透過掃描無金屬層之TSV結構，精準量測孔深以評估蝕刻速率孔壁缺陷即時檢查 (Bare Silicon) (+Opt.001 or 002) 同步可偵測孔壁缺陷狀況如偏蝕、凹陷、裂紋、針刺或條痕等缺陷
物鏡倍率	20 倍 / 40 倍
FOV、量測時間	點掃描：FOV 400 μm x 400 μm；3.5秒 / 每張斷層圖 ; 100張斷層圖 ≒ 6分鐘
量測模式	微區取像、分區自動量測、依座標值自動量測，亦可自定義掃描程序流程
量測解析度	影像最小量測解析度 0.5 µm
移動解析度	X-Y 軸移動解析度 0.1 µm；Z軸移動解析度 0.1 µm
空氣源規格	CDA (FAC → 主機)；0.6 - 0.7 Mpa；管徑尺寸Φ 6 mm CDA (FAC → 主機)；0.6 - 0.7 Mpa；管徑尺寸Φ 8 mm
選配	Opt. 001：穿透式單光路；Opt. 002：穿透式雙光路；Opt. NLR：去除自動上下料機
設備尺寸、重量	長 2.795 m x 寬 1.830 m x 高 1.900 m 重 2750 kg
電氣規格	220 V 60 Hz AC 3500 W
檢測圖	TSV Sidewall Inspection TSV Bottom Oxide Residue Detection	TSV Via Depth (CD=5 μm) Measurement Example: Statistical data of the 9 shots for the whole wafer